当PWM电源逆变器驱动波形的正半周同时加到两只开关管的橱极时，两管同时导通，大部分电 流流经IGBT管，因为MOSFET电源转换器管的导通电阻大于IGBT管的导通电阻.由于在 MOSFET管的橱极驱动电路中增加了关断延时电路，所以当驱动电压为ov时，IGBT随 之关断，但MOSFET仍处于导通状态，绝大部分电流转移到MOSFET管，IGBT中只有 残存的拖尾电流，这时IGBT管集电极与发射极之间的电压也是MOSFET管的导通电 压，远比没有并联MOSFET管时要小得多，所以在这种情况下由于电流拖尾造成的效率 损失可得到较好的改善.当经过延时时间后IGBT的拖尾电流完全消失而彻底关断，此 时MOSFET管的延时关断电路的驱动波形下降沿来到，MOSFET管截止。
在上述的工 作过程中，IGBT只摇在组合外贸开关管导通时发挥其直流压降小的优点，而MOSFET则发 挥其关断损耗小的优点，并且在IGBT产生拖尾电流期间内将集电极与发射极之间的压 降籍位在MOSFET管的漏、撅极导通压降上，要比在高压下的拖尾电流损耗小得多.所 以组合开关管的开关损耗和直流损耗都小于两个单管单独工作时的损耗。但同时还要考 虑到MOSFET管在IGBT关断后的延时时间内(约1 fas)是否能承担总的工作电流，可根 据产品提供的相关技术参数合理选择.
