功率MOSFET是DC-DC电源转换器对电离辐射非常敏感的装置。辐照时,由于氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷共同作用,使功率MOSFET阂值电压负漂移,但由于功率MOSFET栅氧化层较厚,同时栅极正偏,造成栅氧化层氧化物陷阱电荷数量很多,大于界面陷阱电荷对阂值电压漂移产生的影响。由于栅氧化层是氧化物电荷的积累,开启功率MOSFET电压的增大时,从而导致功率电源转换器MOSFET电压关闭的严重退化。
DV H型F2812DFDC-DC电源转换器的电参数发生了明显的附加剂量的漂移。我们认为,大量的氧化物正电荷的积累在早期阶段的辐照室温退火时的数量很少,导致额外的辐照和新产生的氧化物在参数的装置相互作用带来了巨大的变化。

辐射诱导空穴的退火可以分为隧道退火和热激发退火2种模型,实验中忽略了因电场引起势垒降低而引发的隧道注入。在热发射模型,氧化物正电荷激发到价带的风险和陷阱相对于一个二氧化硅能源的价带指数关系。